帮我找几个局域磁矩反铁磁异质结的交换偏置测试的文献

下面给你整理了一组**“局域磁矩反铁磁（典型：NiO、CoO、FeF₂、MnF₂、Cr₂O₃ 等）/铁磁层异质结构”**里，用磁滞回线偏移（exchange bias）做测试/表征的代表性文献（含经典、模型体系、以及近年更“器件化”的体系）。你可以按材料体系直接挑几篇来读/引用。

经典起源与方法学综述（写测试方法很方便）

1. Meiklejohn & Bean, “New Magnetic Anisotropy” (Physical Review, 1957)
   交换偏置/交换各向异性的开端：通过场冷后磁滞回线沿H轴偏移来定义与讨论（Co–CoO核壳体系）。(APS Harvest)

2. Nogués & Schuller, “Exchange bias” (Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 1999)
   经典综述：层状FM/AFM结构里交换偏置的现象学、测试依赖（温度、冷却场、训练效应等）。(ScienceDirect)

3. Ehrmann 等, “Exchange Bias in Thin Films—An Update” (Coatings/MDPI, 2021)
   更新版综述，覆盖更多近年材料组合与实验观察（写引言/方法背景很好用）。(MDPI)

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氧化物局域磁矩反铁磁：NiO / CoO 异质结构（最常见）

4. NiO(001)/Co 双层：利用FM“杠杆”操控邻近NiO自旋结构（Physical Review Materials, 2025）
   虽然文中指出预期的EB可能“不出现/很弱”，但它非常适合用来理解为什么有的NiO/FM体系测不到明显交换偏置、以及如何用XM(L)D等手段交叉验证。(Physical Review Links)

5. CoO(111)/Fe(110) 与 NiO(111)/Fe(110) 外延双层：冻结/可转动AFM自旋记忆（JMMM/ScienceDirect, 2023）
   结合MOKE + X-ray dichroism追踪界面AFM自旋状态，并讨论EB随磁史/温度的行为。(ScienceDirect)

6. CoO(111)/Fe(110)：可调交换偏置与“冻结自旋记忆”（JMMM/ScienceDirect, 2022）
   更聚焦于CoO/Fe外延体系的EB设定与记忆效应，含典型回线测试。(ScienceDirect)

7. CoO/Fe(001) 双楔形外延薄膜：交换偏置“起始厚度/温度”与Kerr显微回线（Physical Review B, 2017）
   用大量温度-厚度-回线数据讨论EB onset，很适合作为“标准测试”参考。(Physical Review Links)

8. NiFe/NiO：FMR + 磁化曲线测交换耦合与角度依赖（Physical Review B, 2003）
   典型“器件材料”NiFe/NiO里，既有静态回线也有FMR角度/频率依赖，适合做方法对照。(Physical Review Links)

9. Ni/NiO(001) 在铁电PMN-PT上：应变/电场调制交换偏置（Physical Review B, 2017）
   典型NiO（局域磁矩AFM）/FM/铁电异质结构，包含明确的EB回线提取与调控实验。(Physical Review Links)

10. CoO/Co 交换偏置薄膜：不同氧化工艺对回线偏移影响（Materials Chemistry and Physics/ScienceDirect, 2025）
    明确展示“Co/CoO”类体系的回线偏移与工艺相关性，偏工程与测试导向。(ScienceDirect)

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氟化物局域磁矩反铁磁：FeF₂ / MnF₂ 模型体系（教科书级“标准EB”）

11. Fe/FeF₂ 双层：界面结构与超大交换偏置（Applied Physics Letters, 1996）
    经典模型体系之一：在MgO上生长FeF₂/Fe并用回线定义HE，关联界面粗糙度。(Digital Documents Repository UAB)

12. Fe/FeF₂：正交换偏置（Positive exchange bias）（1996）
    讨论在较大冷却场条件下出现“正EB”等反常行为，做机制分析时常被引用。(Schuller Nanoscience Group)

13. “Competing interfacial exchange and Zeeman energies …” (Physical Review B, 1999)
    用模型解释冷却场依赖等现象，适合写讨论部分引用。(Physical Review Links)

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磁电局域磁矩反铁磁：Cr₂O₃（交换偏置还能被电场“写入/翻转”）

14. “Magnetoelectric Switching of Exchange Bias” (Physical Review Letters, 2005)
    Cr₂O₃/(Co/Pt) 多层结构中，用磁场+电场“冻结场”实现HEB符号翻转，非常标志性。(Physical Review Links)

15. Co/Pd 与 Cr₂O₃ 交换偏置异质结构：SQUID + Kerr 测回线并讨论电压/温度调控（Physical Review Applied, 2017）(Physical Review Links)

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如果你告诉我你更关心哪一类体系（比如 NiFe/NiO 工程体系、外延 CoO/Fe、还是 Cr₂O₃ 磁电写入），我可以再按你的方向补一批更“对口”的近5年文章（比如专门做：HEB提取、blocking temperature、训练效应、FORC/角度依赖测试等）。

“冻结自旋记忆（frozen spin memory）”一般是交换偏置（exchange bias, EB）体系里的一种说法：指 反铁磁层（AFM）靠界面的那部分自旋在冷却/磁化历史之后会“被写入并锁死”在某个方向，之后你怎么扫磁场、让铁磁层（FM）翻转很多次，它们也不（或很慢才）跟着转，于是系统“记住了”之前的磁史。

你可以把它拆成两层意思：

1) “冻结自旋”是什么

在很多 FM/AFM 异质结里，AFM 界面附近会出现两类自旋成分：

• Frozen / pinned spins（冻结/钉扎自旋）：方向基本固定（相对晶格或某个易轴），对外场和FM翻转不敏感。
• Rotatable spins（可转动自旋）：会被FM的交换场拖着走，FM翻转时它们也会部分跟随。

这一套“rotatable vs frozen”的区分，实验上甚至可以用 XMLD/XMCD 之类手段直接测出来（经典例子是 CoO/Fe 外延体系）。(Harvest)

2) “记忆”体现在哪

“记忆”说的是：冻结自旋的取向是由某个“写入过程”决定的（最常见就是场冷穿过 AFM 的 Néel 温度/阻塞温度，或在这个过程中由FM的磁化方向主导界面交换场），并且这个取向会在后续测量中长期保持。比如在 CoO/Fe、NiO/Fe 这类外延双层里，文献就会讨论 AFM 自旋取向被 FM 在过 Néel 温度时“imprint/写入”，并表现出对磁史的记忆差异。(ScienceDirect)

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你在“交换偏置测试”里怎么一眼看出它

常见实验信号（不一定每个体系都同时出现）：

• 交换偏置场 $H_E$ 稳定、重复性强：同样的“写入”（场冷方向/磁化方向）重复做，磁滞回线沿 H 轴偏移几乎一样；换一种写入方向，$H_E$ 的符号或大小跟着变。
• 训练效应（training）很弱或呈现“慢松弛”：扫很多圈回线，$H_E$ 衰减很小，通常被解释为“冻结自旋占比大、驰豫很慢”。(ScienceDirect)
• 可能伴随“竖直回线偏移”（vertical shift）：也就是 M 轴方向有偏移/剩余磁矩不对称，常被归因于钉扎/冻结的非补偿自旋对总磁矩的贡献。(APS Link)

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它和“训练效应”到底啥关系

• 冻结自旋记忆强 → 往往意味着界面存在一部分真的很难重排的AFM自旋，所以扫回线不太改变它们 → 训练效应可能就弱。
• 记忆不强/可转动自旋多 → AFM界面在每次FM翻转时都在被“搅动”，更容易逐步松弛到别的亚稳态 → 训练效应往往更明显。(ScienceDirect)

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如果你愿意，我也可以按你具体体系（比如 NiO/NiFe、CoO/Fe、FeF₂/Fe、Cr₂O₃/Co(Pt) 等）给你一个**“怎么做写入-读出实验来证明冻结自旋记忆”的标准测量流程**（场冷/角度依赖/温度回线/训练序列怎么设计，以及 $H_E$、$H_C$、vertical shift 分别怎么提取）。